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中國大陸業者在NAND Flash產業鏈的相關布局與投資不斷開展，成為大陸半導體業揮軍全球的下一波焦點。集邦科技旗下拓墣產業研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯（原同方國芯）投資、武漢新芯擴廠，以及國際大廠如三星、英特爾增加產能，預估2020年大陸當地NAND Flash月產能達59萬片，相較於2015年成長近7倍。
集邦預估，2012～2016年NAND Flash生產端年平均位元成長率達47％，其終端消費端需求年平均位元成長率亦高達46％，顯示NAND Flash仍為高速發展產業。拓墣研究經理林建宏表示，中國大陸在突破記憶體自製缺口的政策方針下，將發展NAND Flash晶圓製造，可由NAND Flash產品特性、3D NAND需求、新興市場的成長空間及國際半導體大廠在大陸投資強精套四大方向切入。
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在NAND Flash產品特性部分，產品在消費性應用下，價格是主要考量，因此生產成本的控制至為關鍵。大陸廠商宜透過折舊認列年限調整、租賃、稅負與資金成本等因素操作為切入點。
在製程微縮部分，NAND Flash在進入2x奈米世代後，製程微縮帶來的成本優勢越來越不明顯，推遲國際NAND Flash大廠技術進程，因此3D NA變頻跳蛋ND Flash成為成本繼續降低的重要方法。林建宏指出，產品由2D走到3D，需有新的技術領域加入，若能整合跨領域人才和技術，能成為大陸廠商追趕的機會。
在市場需求上，雖然NAND Flash產業短期仍處於供過於求，但長期而言新興市場仍有成長空間。大陸隨著一帶一路政策發展的策略，對開發其周遭新興市場需求有相當助益，妥善安排資源與發揮對新興國家的影響力，將是大陸獨有的優勢所在，也可創造出更多元的NAND Flash需求。
另外，國際半導體廠商積極投入大陸市場，在當地培養有經驗和技術的人才，支持廠房運維的高度需求，有助降低大陸當地業者發展自主NAND Flash製造的門檻。大陸透過廣大的人力和市場成功吸引國際廠商的進駐，為大陸發展NAND Flash產業帶來最好機會。
目前在大陸當地生產NAND Flash的業者以三星為主，英特爾已決定將大連廠改為NAND Flash廠，預計自今年第4季加入生產行列。在當地業者部分，武漢新芯已決定新建記憶體晶圓廠，將從3月底開始進行建廠工程，目標最快在2018年年初開始生記憶體晶片，初期規畫將以目前最先進的3D-NAND Flash為主要策略產品，代表了近兩年來中國大陸極力發展記憶體產業的態勢下，將開始進入新的里程碑。
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